【時報-台北電】AI基礎建設持續擴張，記憶體缺貨潮未見終點。法人預估，第四季DRAM、NAND Flash價格，將分別季增約20％、30％，供需缺口持續為負，價格談判權仍掌握在供應端。台股方面，法人點名，群聯、南亞科及華邦電成為漲價受惠標的。

　群聯受惠Enterprise SSD、高容量QLC SSD、AI推論儲存及CSP需求成長，PCIe Gen5／Gen6控制晶片、Pascari Enterprise SSD及aiDAPTIV等產品，可望隨AI資料中心擴建放量，而NAND價格上行，亦有利庫存價值及產品組合改善。

　南亞科受惠DRAM位元出貨增加，以及部分半年至一年期合約重新議價，第四季DRAM平均售價（ASP）估再季增1成；華邦電則受惠SLC NAND、NOR Flash、利基型DRAM及eMMC供給吃緊，價格亦居高檔。

　2023～2024年記憶體原廠縮減投資與晶圓投片所造成的供給缺口，至今尚未完全修復。

　儘管各大原廠重啟資本支出，但從新廠建設、設備進場、首批晶圓產出到良率爬升均需要時間，短期有效位元供給，仍追不上AI需求增長。

　其中，NAND將成為第四季價格彈性最大的記憶體產品。大型語言模型推論所需的KV Cache、RAG、模型權重、checkpoint及中間資料，使NAND由傳統冷資料儲存，進入AI記憶體階層。

　業者指出，AI帶來的需求，不只是SSD數量增加，也同步推升單顆SSD容量及單一系統NAND搭載量。手機、PC等消費性需求雖轉弱，原廠仍將有限產能，配置至高毛利Enterprise SSD及AI儲存。另一方面，三星、SK海力士、鎧俠及美���持續將產能轉向高層數3D NAND、TLC／QLC及Enterprise SSD，使MLC、SLC等成熟型NAND供給進一步縮減。

　而DRAM方面，供給壓力同樣未解。HBM因裸晶面積較大、堆疊結構複雜，對晶圓、TSV、先進封裝及測試資源的消耗高於標準型DRAM，即使晶圓投片增加，一般型DRAM有效位元供給受排擠。

　法人指出，2027年隨Server DRAM及HBM需求繼續擴張，市場真正的限制已不只是晶圓投片量，而是有限的先進DRAM晶圓，要配置給HBM、Server DDR5、SOCAMM或消費型DRAM。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)