【時報-台北電】韓國總統李在明12日表示，三星電子將在韓國牙山（Asan）投資6兆韓元（約44.8億美元）興建一座高頻寬記憶體（HBM）晶片封裝廠，隨後還將投資約40兆韓元用於購買先進設備，以因應AI帶動的需求。

　三星電子位在牙山溫陽園區（Onyang Campus）的晶圓廠12日舉行奠基儀式，李在明出席祝賀並且發表上述演說。他並強調：「政府將集中所有政策力量，確保這一大型項目實現全面增長、切實改善當地社區和民眾的生活，並且最終實現真正的國家均衡發展。」

　三星會長李在鎔在奠基典禮指出：「這個廠區，過去主要是負責一般半導體的簡單組裝和測試，如今，將要轉型成為先進HBM重鎮，位居AI半導體產業的核心位置。」

　三星電子在簡報中指出，新的HBM生產線擬於2028年6月投產，比原訂計畫提前一年，俾以因應伺服器記憶體快速增長的需求。李在明並盛讚，牙山的溫陽廠區將成為先進HBM封裝的關鍵重鎮。

　此次動土的是該廠區的第五條生產線，這是一座三層樓HBM生產設施，內建3.1萬平方公尺的無塵室。完工後，該廠區的面積將從27萬平方公尺擴大至42萬平方公尺。

　出席此次活動的不僅有三星電子會長李在鎔，還包括三星電子、三星顯示（Samsung Display）、三星SDI和三星電機等子公司總裁。

　韓國政府已與三星和另一家晶片製造商SK海力士（SK Hynix）加強合作，以協助推動涵蓋半導體、物理AI和AI資料中心的「大型專案」。(新聞來源 : 工商時報一陳��均／綜合外電報導)