【時報記者林資傑台北報導】晶圓代工廠力積電(6770)董事長謝再居在20日的法說中揭示最新營運布局策略，相較於單純投資擴產，公司聚焦產品價值、稼動率及資源配置效率，透過設備重整、製程簡化及產品組合調整，將資源轉向AI相關高附加價值產品，並維持傳統利基型DRAM長期供應能力。

　謝再居先前表示，相較於黃崇仁較積極掌握市場機會，自己較重視風險評估。面對景氣回升周期需求增加，但擴產面臨資本支出壓力，力積電採取評估取得小型晶圓廠或擴充無塵室空間，並透過客戶預付款、租賃或共同投資方式審慎因應，降低擴產風險。

　謝再居表示，因應半導體產業景氣上行，力積電改變過往開放式晶圓代工（Open Foundry）商業模式，轉向簡化製程平台，提高設備利用率及生產力。對低毛利、低產值且缺乏成長性的產品，將更審慎評估接單，讓有限產能優先投入具成長潛力的產品。

　隨著銅鑼P5廠明年首季將移交給美光，力積電聚焦設備調度，將設備遷回新竹P1、P2、P3廠並汰換舊機台，中介層（Interposer）與晶圓堆疊（WoW）產線將移回P1、P2廠，目標本季後半恢復生產，美光（Micron）的後段晶圓代工（PWF）產線亦配置於P1、P2廠。

　新產品方面，力積電將以既有製程技術開發高附加價值應用，包括電源管理晶片（PMIC）、中介層及整合式被動元件（IPD），降低資本支出風險。其中，IPD可運用既有DRAM製程切入，���會占用部分產能，需在記憶體需求、AI訂單及設備配置間持續調整，以兼顧效益。

　資本支出方面，謝再居希望透過租賃、預付款或共同投資，由客戶分攤30～60％的設備支出，如美光的PWF設備即採全額預付款，期盼未來DRAM與WoW設備爭取類似安排，將客戶需求與產能投資連結，降低資金支出壓力，避免需求未明前便承擔沉重擴產成本。

　同時，力積電將持續布局傳統利基型DRAM市場。謝再居表示，記憶體大廠與部分同業轉向高階產品，但DDR1、DDR2、DDR3仍廣泛用於辦公設備、家電、通訊及車用產品。公司仍生產63奈米製程DRAM，並看好未來10～15年的38/25/20奈米製程產品需求將持續。

　由於既有廠區無塵室空間接近滿載，為兼顧客戶對舊世代產品需求，謝再居表示，力積電規畫未來3～5年取得月產能2～4萬片的小型晶圓廠，以擴充供應、延續客戶承諾，實際執行狀況仍需視市況而定，整體策略方向為適度擴產，維持利基記憶體長期供貨角色。

　隨著AI及高效運算（HPC）系統對去耦合、降雜訊電容的需求增加，謝再居看好IPD明年需求大幅成長，但目前主要使用38/25奈米DRAM製程生產，將出現產能排擠效應，預估現階段月產能上線約1萬片，然明年下半年市場需求可能達每月3～5萬片。

　整體而言，力積電短期營運聚焦WoW及中介層產線恢復生產，中期為推進EP DRAM、PWF及IPD產能，上述IPD需求供給缺口將考驗設備配置及擴產速度。長期則是擴充傳統利基型DRAM供貨能力，並透過客戶參與投資降低擴產風險。