【時報-台北電】大摩一紙報告造成記憶體股籌碼鬆動，資金在短線漲多後明顯踩踏，南亞科(2408)、華邦電(2344)等DRAM雙雄20日同步跌停，單日市值分別損失806億元、540億元，合計蒸發逾1345億元，淪台股重災區。

專家指出，記憶體族群雖遇亂流，卻非全面退潮，但考量該產業不再是齊漲齊跌的景氣循環遊戲，南亞科、華邦電雖有機會跌深反彈，但後續得靠提升DDR5的滲透率，來對抗跌價壓力；旺宏(2337)的觀察重點，不再是記憶體報價，而是MLC、SLC等特定規格的現貨價及產用率。

美系外資大摩指出，記憶體產業從全面性的「超級周期」走向「結構性分化」，針對南亞科、華邦電價評雙降，資深分析師陳榮華指出，即使超級周期步入尾聲，但並非全盤落幕，記憶體市場更不會同步降溫，而是出現明顯的資金與題材輪動。

長鑫DDR5擴產加速

大摩點出3項結構性利空，顯示其獲利高峰可能已過：

1.長鑫存儲（CXMT）的供給壓力：DDR4供給大增，長鑫預計2027年起月增1萬片產能，對以DDR3/DDR4為主要營收支柱的台系廠商，尤其是南亞科構成直接威脅，陸廠憑藉政策與成本優勢，導致市場供給結構性增加，抑制價格。

此外，長鑫在DDR5的擴產加速，雖然短期良率與品質尚在追趕，但長期將削弱國際大廠（三星、海力士、美光）及台廠在DDR5的定價權，加上力積電加入戰局，預計2027年導入1y/1z先進製程並放量，進一步增加DDR4供給，將使供需差距自下半年起縮小，並預期2027年下半年價格轉跌。

2.3C需求疲軟與價格觸頂：DDR4 8Gb合約價年增達752%，不僅基期高，也逼近報價上限，伴隨消費性電子（3C）需求縮減，下游廠商備貨意願降低，價格上漲的邊際效應遞減。

3.獲利了結壓力：華邦電過去1年股價飆漲超過5倍，目前本淨比（PB）已提前反應未來幾季的利多，外資選擇在基本面轉折前「Turning Selective」，先行獲利了結。

不過，大摩在DRAM降評的同時，卻將傳統Flash，特別是SLC/MLC NAND列為新寵，背後邏輯在於供給側的結構性收縮，與利基市場的定價權。

旺宏愛普合作IPD介面

陳榮華指出，三星、鎧俠、美光等國際大廠為追求更高的毛利，已將產能重心轉向高階的3D NAND（用於手機、SSD），導致2D NAND（如MLC、SLC）的產能幾乎消失。

然而，車用、工控、物聯網、通訊設備等利基市場對傳統Flash（2GB至64GB）的需求依然穩定。供給退出而需求仍在，造成高達40%的供給缺口，且客戶庫存水位僅6至9個月。

由於旺宏是全球少數仍能穩定且大量供應MLC NAND的廠商，在供給短缺的環境下，供應商擁有絕對的定價權，預期2026年價格將上漲超過200%，直接轉化為營收與毛利率的爆發。

此外，旺宏還預計在2028年與愛普*(6531)在IPD介面展開合作，暗示旺宏不僅受惠於傳統周期性漲價，還在布局3D IC、異質整合等高階技術，為長期的本益比重估，提供想像空間。

陳榮華並提出當前記憶體投資的3大策略要點：

1.避開標準型DRAM的「紅海」：南亞科與華邦電雖然體質良好，但面臨長鑫結構性產能過剩威脅，若DDR4報價在2026年下半年收斂、2027年轉跌，其獲利將面臨下修風險，這類族群短期反彈僅能視為跌深反彈，而非長線景氣復甦的起點。

記憶體投資3策略

2.緊抓利基型Flash的「稀缺性」：旺宏的抗跌並非單純的資金避險，而是基於實質的供需缺口，在國際大廠不願回頭生產低容量2D NAND的情況下，缺貨情況可能延續至2027年。對這類廠商，觀察重點不再是記憶體報價，而是特定規格（MLC/SLC）的現貨價與產能利用率。

3.時間節點的分歧：大摩示警DRAM超級周期僅剩9個月至1年半，也就是2027年下半年，而Flash目前正處於上升周期的起點。

總結來說，記憶體產業已不再是齊漲齊跌的景氣循環遊戲，南亞科、華邦電後續得靠提升DDR5的滲透率，來對抗跌價壓力，旺宏則正處於一個由供給斷層所驅動的獨立「小周期」之中，因其產品線避開陸廠傾銷，反而掌握了利基市場的瓶頸資源。

記憶體族群雖遇亂流，但並非全面退潮，市場資金正在從供給過剩、庫存升高的DRAM撤出，轉向供給斷層、需求穩健的傳統Flash。投資人若仍以過往「記憶體齊漲齊跌」的舊思維操作，可能會錯失結構性分化的行情。(新聞來源：旺得富理財網 李宗莉)

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