【時報-台北電】為迎合AI基建設施及輝達等科技巨頭對記憶體的龐大需求，韓國記憶體大廠SK海力士當地時間7日宣布，將投資54兆韓元（約381億美元）擴產，在韓國興建兩座全新記憶體晶片廠。

　SK海力士表示，董事會已核准這項時至2031年的投資案。包括35.2兆韓元投入龍仁（Yongin）Y2晶圓廠的第二期建設，以及19.1兆韓元興建清州（Cheongju）M17晶圓廠。

　SK海力士曾於6月表示，計劃在龍仁半導體聚落投資600兆韓元，還要砸100兆韓元擴建清州生產基地。

　SK海力士在龍仁半導體國家產業園區規劃興建四座晶圓廠，Y2晶圓廠是其中的第二座，將作為DRAM的生產基地。Y2晶圓廠預定明年7月動工興建，首間無塵室預計2029年6月啟用，用於生產高頻寬記憶體（HBM）及其他新一代DRAM產品。

　至於清州M17晶圓廠預定明年2月動工，第一間無塵室將於2028年12月啟用，專門生產快閃記憶體（NAND Flash）。

　SK海力士發新聞稿指出，「在AI時代，光靠技術競爭力是不夠的，能在客戶最需要的時刻滿足需求，才能掌握終極競爭優勢。這是我們對市場需求徹底評估後，做出的投資決定。」

　全力打造資料中心等AI基礎設施的企業，以及輝達等科技巨頭，對HBM需求若渴，造成記憶體供不應求，帶動記憶體漲價潮，也推升SK海力士、三星和美光等主要生產商的股價。

　市調機構Counterpoint Research數據顯示，SK海力士面臨三星的強勢競爭，三星在第二季已奪回全球DRAM���場龍頭寶座。

　Counterpoint Research研究副總裁兼共同創辦人Neil Shah指出，「這促使SK海力士注入新的資本支出來擴大布局，短期內不會改變海力士產能，卻可為2029年以後的發展鋪路。」

　他還提到，「放眼更廣泛的市場，三星、SK海力士、美光和長鑫存儲等多家業者擴產，可望明顯擴大全球供應到2028年。但由於需求的成長速度快過規劃的產能，記憶體價格在2028年底前不太可能回跌。」(新聞來源 : 工商時報一吳慧珍／綜合外電報導)