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《半導體》華邦電再擴台中廠產能拚H2量產 至2027年樂觀以待

時報新聞   2026/02/10 16:44

【時報記者葉時安台北報導】華邦電(2344)周二召開實體法說會,由總經理陳沛銘主講。華邦電2025年全年每股盈餘0.88元,為三年最高。受惠於AI爆發式成長,記憶體需求迎來前所未有的動能,華邦電陳總提到,首季DRAM漲幅與上季相當,FLASH漲幅更可期,可望持續推升毛利率,第一季營運可望相當不錯。而華邦電Flash與CMS擴產計畫持續進行中,並自今年下半年起階段性量產,下半年華邦電獲利能力回溫,預期營運動能將逐季成長並延續至2026年,甚至持續看好至2027年。

 華邦電去年第四季營業收入266.25億元,季增22.3%、年增42.4%;營業毛利111.46億元,季增9.6%、年增119.4%,營業毛利率41.9%,季減5個百分點、年增15個百分點;營業淨利40.92億元,季增389%、年增4833%,營益率15.4%,季減2個百分點、年增19個百分點;本期淨利30.95億元,季增394%、年增3773%,純益率11.6%,季減1個百分點、年增15個百分點;歸屬予母公司業主之本期淨利34.22億元,季增479%、年增4070%,單季每股盈餘0.76元。華邦電提到,華邦電三率均季比下跌,主因庫存重評價而去年第三季基期高,庫存跌價損失去年結束將不再提列。

 華邦電去年營業收入894.06億元,年增9.6%;營業毛利311.96億元,營業毛利35%,年增6個百分點;營業利益55.34億元,營業淨利率6.2%,年增6個百分點;本期淨利31.77億元,歸屬於母公司業主淨利39.61億元,華邦電2025年全年每股盈餘0.88元,為三年最高。

 華邦電陳總表示,2026年全年看好,甚至2027年持續看好,AI動能可期,而華邦電也持續追逐擴產計畫。華邦電去年8月董事會已通過資本支出46.68億元,於台中廠增設Flash產能,放眼提升NOR Flash與SLC NAND產能,預計今年5月開始裝機,7月投片,第三季顯著新產能開出。而如今再度追加,周二通過資本支出約24億元,兩次共計逾70億元在台中廠新增投資額,推升台中廠總產能。至於高雄廠新增產能,顯著貢獻在2027年。

 華邦電記憶體事業資本支出,2025年全年資本支出為新台幣55億元,2026年資本支出計畫約為新台幣421億元,其中生產設備資本支出約占95%。

 FLASH方面,2025年營收年增8%,2025年位元出貨量年增高十位數百分比,主係受惠於多元應用導入及產品單機容量不斷提升。華邦電穩居世界第一NOR Flash供應商,並持續擴增市場領導地位。

 CSM事業(代表客製化記憶體事業,更名自過往之DRAM事業)2025年營收年增35%,2025年位元出貨量年增低四十位數百分比,主要來自DDR4/LPDDR4產品線顯著成長,而20nm營收占比於2025年呈現指數型成長,並將延續至2026年。

 華邦電進一步說明,DRAM第一季漲幅與上季相當,SLC漲幅更大,SLC NAND供應持續緊縮,推動2026年全年價格穩定上行趨勢;NOR方面,受惠於供給端吃緊及終端需求轉佳,預期NOR價格自2026年上半年起持續走升。至於DRAM,結構性供給缺口持續存在,短期內不易解決,預期2026年DDR4與DDR3產品合約價格走勢樂觀,並伴隨更佳的訂單能見度。

 華邦電總結提到,關稅不確定性逐步緩解,匯率走勢趨於穩定,受惠於AI爆發式成長,記憶體需求迎來前所未有的動能,DRAM漲幅與上季相當,FLASH漲幅更可期,可望持續推升毛利率,第一季營運可望相當不錯。而華邦電Flash與CMS擴產計畫持續進行中,並自今年下半年起階段性量產,下半年華邦電獲利能力回溫,預期營運動能將逐季成長並延續至2026年,甚至持續看好至2027年,伴隨16nm CMS製程邁入量產階段,8Gb/16Gb DDR4及8Gb LPDDR4產品可望推動未來幾年顯著營收成長。華邦電CUBE研發進展順利,並持續拓展客戶與應用布局。而受惠於法規要求,Secure Flash貢獻度也將開始顯著提升。

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